废钢铁代用品

优质钢材的冶炼和高水平操作指标的获得需要优良的原料作保证。直接还原铁，碳化铁和脱碳粒铁作为废钢铁代用品，已显示出其价格和品质上的优越性，并弥补了废铁数量的不足，但因其各有自身的特点，故研究其理化性质和使用性能，将为大规模生产和使用创造必要的条件。     

新型硅蜡乳液的制备

将蜂蜡用复合乳化剂乳化时加入自制的乳化助剂，制得稳定的蜡乳液，将该乳液与羟基蛙油乳液复配，制得乳白色略带蓝光硅蜡乳液，该硅蜡乳液用于绵羊服装革作顶层手感改善剂，除了获得油润的蜡感和滑爽感之外，还使成革具有抗菌和抗静电作用。     

用化学腐蚀制备多孔硅太阳电池减反射膜的研究

采用HF HNO3溶液化学腐蚀 ,在硅片上制备减反射效果优良的多孔硅太阳电池减反射膜 ,借助原子力显微镜 (AFM)和X光电子谱 (XPS)对其表面形貌和成分进行观察 ,发现该膜与电化学阳极腐蚀得到的多孔硅具有相似性 ,其主要成分为非化学配比的硅的氧化物SiOx(X <2 )。采用带积分球的光度分光计 ,测得形成多孔硅减反射膜后 ,硅片表面反射率大大下降 ,,在波长 330～ 80 0nm范围反射率只有 1 5～ 2 9%。研究指出这种强减反射作用 ,与多孔硅具有合适的折射率及其多孔特性的光陷阱作用有关     

由制碱废渣制脱硫吸收剂配比优选的研究

文章探讨了由制碱废渣和电石渣混合制取脱硫吸收剂 ,不同混合比例对吸收剂的比表面积、脱硫能力的影响 ,从而确定最佳配比方案     

硅光电负阻器件的构成原理与分类

将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 ,以及依据此构成原理确定的分类方法     

场激活加压燃烧合成WC-Ni复合材料的工艺参数研究

以钨、碳和镍为原料,在电场激活下,材料的燃烧合成和致密化同时进行,短时间内完成了碳化钨镍复合材料的制备。研究了场激活 加压燃烧合成中的工艺参数,如脉冲电流、能量控制模式、升温速率、最高温度和压力对反应的影响。测量了在反应合成和致密化前后的样品 收缩率。所制备的复合材料的相对密度,490N载荷下Vickers硬度和断裂韧性分别为99.2%,13.965GPa和5.9MP·m1/2。     

探讨电石法PVC烟气治理方法

分析了电石法PVC生产链中电石炉烟气及电厂烟气二氧化硫的排放情况,指出利用电石炉烟气中的CO合成氨、再将合成氨用于燃煤电厂烟气的"氨法"脱硫是具有较大应用潜力的循环经济产业链。     

Structural properties of phosphorous-doped polycrystalline silicon

The structural properties and hydrogen bonding of undoped and phosphorous doped polycrystalline silicon produced by step-by-step laser dehydrogenation and crystallization technique were investigated using Raman spectroscopy and hydrogen effusion measurements. At low laser fluences, E_L, a two-layer system is created. This is accompanied by the change in hydrogen bonding. The intensity of the Si–H vibration mode at 2000 decreases faster than the one at 2100 cm⁻¹. This is even more pronounced in phosphorous-doped specimens. The laser crystallization results in an increase of the hydrogen binding energy by approximately 0.2–0.3 eV compared to the amorphous starting materials.     

解决废钢短缺是特钢业发展的关键

随着短流程炼钢的迅速兴起，废钢消耗量急剧增加，世界范围内废钢供应已经出现了严重缺口，我国每年须从国际市场进口大量废钢才能满足钢铁生产的供需平衡，在我国废钢已成为紧缺资源，影响着我国特钢业的发展。分析了这一形势，并初步探讨了解决这一问题的方法，建立合理的废钢储备及使用体系，使废钢资源合理化流动，同时积极探寻优质的废钢代用品，以便从根本上解决我国废钢短缺问题。     

多孔硅发光二极管的载流子传输特性研究

制备AI／多孔硅／c-Si／Al结构的多孔硅发光二极管，利用其I-V特性关系，以及在不同温度下其I-V特性的变化，结合多孔硅的特殊微结构及性质，分析了多孔硅发光二极管中载流子的产生和传输过程；通过比较其发光猝灭前后I-V特性的变化，解释了发光猝灭的原因。提出了如果在低电场下能够实现大量载流子在限制性Si微粒中复合．是提高多孔硅电致发光效率的一个途径。